收藏本社区 社区投诉 返回半导体您当前的位置:新浪股市汇 > 大陆指数>半导体(siH30184)> 浏览帖子
半导体(siH30184)6.08up0.1220%取消关注+关注行情展开
新浪财经客户端

【三星电子改进半导体存储器设计】据韩国半

【三星电子改进半导体存储器设计】据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器(DRAM)“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。专业人士表示,改变设计并不是一个容易的决定,制造工艺产生变化后,会提高成本,此举意味着公司有改进工艺和产品的紧迫意识。

此文仅代表作者观点,点击可查看作者简介

01月24日 07:59
来自电脑网页版
(0)| 阅读数(198) |
分享
| 收藏 | 回复(0) | 举报
新浪推荐
本社区信息

版主:

我要做版主
其他服务
如果你使用中遇到困难请联系,@新浪股市汇