新浪财经客户端
【三星电子改进半导体存储器设计】据韩国半
【三星电子改进半导体存储器设计】据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器(DRAM)“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。专业人士表示,改变设计并不是一个容易的决定,制造工艺产生变化后,会提高成本,此举意味着公司有改进工艺和产品的紧迫意识。
01月24日 07:59
来自电脑网页版
(0)|
阅读数(198)
|
|
收藏
|
回复(0)
|
举报