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万亿大市场!!碳化硅概念股汇总 第三代半导体芯片材料

第三代半导体材料碳化硅(SiC)的时代或将迎来万亿大市场!

一:华为投资碳化硅龙头企业:“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍。

据国家企业信用信息公示系统,日前华为旗下的投资公司-哈勃科技投资有限公司投资参股了山东天岳先进材料科技有限公司,持股比例为10%。山东天岳科技是专业从事碳化硅和蓝宝石单晶生长和衬底加工的高新技术企业。据山东天岳官方消息,本项目以硅烷和甲烷在氢气和氩气条件下制得SiC衬底外延片后,经掩膜淀积、光刻、显影、灰化、刻蚀和检验封装等工序,生产SiC MOSFET晶体管,设计年生产规模为400万只/年。

据悉,山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业:

由于特斯拉的引导效应,碳化硅作为功率器件在地球上的普及可能被提速了一倍。这不仅对电车产业,也对其它行业的节能产生了巨大而积极的推动作用。特斯拉为了追求行驶里程仅5%的提升,不惜贵几倍的代价在业界率先全面采用碳化硅(SiC)替代IGBT。

值得注意的是,今年里,一些半导体公司股价表现出色,如今年5月,概念股康强电子从8元附近一口气涨至20元左右,韦尔股份从年初的27元附近涨至目前的160元。



碳化硅是最接近大规模商业化的第三代半导体材料

自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。

第二代半导体材料主要指化合物半导体材料(如砷化镓)、三元化合物半导体(如GaAsAl)、玻璃半导体(如非晶硅)等,主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。
碳化硅(SiC)属于第三代半导体材料,也是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。




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2023年11月29日 10:56
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