半导体材料处于整个半导体产业上游，主要分为制造、封装材料。
（1）制造材料：硅片、掩模版、光刻胶、湿电子化学品、抛光材料、电子特气、靶材七大类。
成本分布：硅片33%，电子特气13%，掩膜版12%，光刻胶6%，湿电子化学品7%，抛光材料6%，靶材2%。
（2）封装材料：引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝等。
（1）硅片：8英寸国产化率55%，12英寸国产化率10%，国内厂商：沪硅产业、立昂微、上海合晶。
（2）掩模版：晶圆厂商自产为主。国内厂商：清溢光电、路维光电。
（3）光刻胶：高端国产化率约10%，国内厂商：彤程新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳。
（4）湿电子化学品：G3及以上国产化率约10%，国内厂商：江化微、格林达、艾森股份。
（5）电子特气：国产化率约15%，国内格局分散，包括：华特气体、金宏气体、雅克科技。
（6）CMP抛光材料：国产化率约20%，国内厂商：安集科技、鼎龙股份。
（7）靶材：国产化程度最高，国内厂商：江丰电子、有研新材。
三. 细分环节梳理3.1 硅片半导体硅片按尺寸分类，8英寸、12英寸是市场主流；按工艺分类，主要分为抛光片、外延片、SOI硅片。
全球半导体硅片市场高度集中，前五大厂商信越化学、SUMCO、环球晶圆、Siltronic、SK Siltron合计占据90%市场份额。
沪硅产业：国内半导体硅片龙头厂商，8英寸产能45万片/月，12英寸产能30万片/月。
3.2 掩模版掩膜版是光刻工艺所使用的图形母版，功能类似于传统照相机的底片。
清溢光电：国内规模最大的掩膜版生产商。
3.3 光刻胶光刻技术是指利用光化学原理和刻蚀方法，将图形传递到介质层上，形成功能图形的工艺技术。
光刻胶是一种图形转移介质，其通过曝光显影蚀刻工艺发挥转移作用，将掩模版上的图形转移到基底上。
根据应用领域不同，光刻胶为PCB、LCD、半导体光刻胶，技术门槛逐渐递增。
全球半导体光刻胶市场被JSR、东京应化、杜邦、信越化学、住友、富士胶片等制造商所垄断。
国内半导体光刻胶市场，仅有彤程新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳、容大感光少数几家。
3.4 湿电子化学品湿电子化学品在光刻、蚀刻等工艺中，用于清除晶圆表面残留污染物、减少金属杂质，包括清洗液、显影液、漂洗液、蚀刻液、剥离液等。
国内湿电子化学品多集中在G3以下，国产化率为80%；G3及以上国产化率约10%。
江化微：主营业务为超净高纯试剂、光刻胶配套试剂等湿电子化学品。
3.5 电子特气电子特气属于工业气体分支，应用于半导体生产各个环节，种类超100种，分为氟系、硅系、硼系、锗系氧化物和氢化物等类别。
全球电子特气市场被美国空气化工、德国林德、法国液化空气、日本太阳日酸四大巨头垄断，合计占据94%份额。
近年来国内电子特气国产化替代进程加快，主要厂商包括：华特气体、金宏气体、雅克科技。
3.6 CMP抛光材料CMP又名化学机械抛光，是半导体硅片表面加工的关键技术。
CMP采用机械摩擦、化学腐蚀相结合的工艺，其中化学腐蚀耗材为抛光液，机械摩擦耗材为抛光垫。
（1）抛光液市场，美国Carbot为全球龙头，国内龙头厂商：安集科技。
（2）抛光垫市场，美国陶氏杜邦一家独大，全球市占率79%，国内龙头厂商：鼎龙股份。
3.7 靶材靶材是制备薄膜的元素级材料，通过不同的离子光束和靶材相互作用得到不同的膜系，以实现导电和阻挡的功能。
全球半导体靶材市场呈寡头垄断格局，日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯占据全球80%的市场份额。
靶材国产化率较高，主要供应商包括：江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技。
