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博弈与多边均衡

外媒:要正视中国的光刻机

外媒:要正视中国的光刻机,支持3纳米工艺,分辨率只有38纳米

说到光刻机,大家可能能够想到的,就是来自荷兰的ASML。

诚然,ASML目前在光刻机市场占据多数市场份额,也是EUV光刻机的独家供应商。

目前我们的国产光刻机,从所支持的制造工艺来看,只能支持到90纳米,测试用可支持到65纳米。

貌似与ASML目前能够支持到3纳米有着较大差距,不过近日有国外科技媒体表示,其实要正视中国的光刻机。

光刻机是一种非常精密的仪器,事实上对光刻机有所了解的人并不多,大多数人对光刻机的认知,除了知道它用于制造芯片,更多的就是它支持的制造工艺是多少纳米。

其实这都是对光刻机比较表面的了解。

目前的光刻机可以分为两个大类,分别是EUV和DUV,EUV光刻机大家已经熟悉了,但是DUV其实大家很不是很了解。

DUV光刻机也包括两个大类,分为浸入式和干燥式,浸入式为ARFi光刻机,干燥式分为三种,分别是i-line、KRF和ARF三种光刻机。

按照光刻机的发展先后顺序,分别是i-line、KRF、ARF、ARFi和EUV。

一个主要区别在于光源的波长,分别是365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米和13.5纳米。

ARF和ARFi的原始波长都是193纳米,只不过ARFi是浸入式,加入了超净水层,所以光线竟折射后等效为134纳米。

目前的高端光刻机,就是EUV和ARFi这两种。

下面就要仔细的聊聊,光刻机所支持的制造工艺,这方面很多朋友都误解了,首先要谈及光刻机的分辨率。

先说ARFi光刻机,这种光刻机虽然属于DUV,但是依然可以做到支持5纳米工艺,不过期最大分辨率只有38纳米。

事实上,DUV光刻机的最大分辨率都只能做到38纳米。

在进一步来说,我们看到的所谓28纳米、14纳米、7纳米等DUV光刻机,分辨率都是38纳米。

在EUV光刻机上也有同样的情况,ASML先后量产的3400B、3400C和3600D,分别可以支持7纳米、5纳米和3纳米工艺,但是分辨率都是13纳米。

之所以会出现这样的情况,是因为决定分辨率的因素上,两大硬件已经确定,分别是光源的波长和物镜的数值孔径。

所以光刻机要实现工艺突破,关键是突破光源和物镜两大关键。

以ASML为例,其研发EUV光刻机用了20年,主要就是突破了新的光源和物镜,当第一代产品量产后,后续几乎每两到三年,即可升级一次。

好,我们再回到国产光刻机上。

国望光学是国产光刻机的物镜曝光系统供应商,其新建工厂已经进入设备采购阶段,预计下半年会进入设备导入阶段,明年会交付28纳米及以下工艺的产品。

这意味着,明年国产28纳米光刻机即将交付。

好,上面我们已经提到,DUV光刻机的最大分辨率只能做到38纳米,而明年我们要量产的是28纳米光刻机,这就意味着,国产光刻机已经突破了38纳米最大分辨率这个门槛。

这就好比ASML突破了EUV光刻机的门槛一样,后续我们的光刻机发展,也会像ASML更新EUV光刻机一样快,甚至更快。

因为根据ASML的发展历史来看,其突破28纳米工艺后,用了4到5年的时间,就将工艺推进到了7纳米。

此外,我们在EUV光刻机的研发上,与DUV是同步的,没有先后的顺序。

根据查询国内在EUV方面的专利积累以及中科院方面的动态来看,EUV光刻机相关核心部件的研发,已经进入实质阶段。

根据预计,当DUV光刻机发展到7纳米工艺时,EUV光刻机应该初步具备了原型机的水平,所以在时间节点上,是可以做到衔接的。

说到这里,想必很多网友会有一个谜团,就是DUV光刻机38纳米分辨率,是怎么可以生产7纳米芯片的,EUV光刻机13纳米的分辨率,又是怎么可以生产3纳米芯片的。

这就要涉及一种被称作“分辨率增强”的技术,其实这是一个技术合集,包括离轴照明、光学邻近校正、移相掩模和次分辨率辅助图。

当然,在为了实现更小的关键尺寸上,还采用了多重曝光、计算光刻等技术。

总之,光源和物镜系统,是决定光刻机的分水岭,而包括分辨率提升等在内的技术,可以对光刻机进行升级,来继续提升光刻机的分辨率水平,但是难度就要小得多。

所以目前我们已经突破了38纳米分辨率这个节点,就意味着与ASML之间的差距主要就是EUV了。

因此外媒就表示,要正视中国的光刻机,在技术上,并没有90纳米与3纳米这种表面数字上的巨大差距。

况且就连ASML自己的自信心也都开始动摇,就在今年年初,ASML总裁就对外表示,中国不是没有可能独立制造出顶级光刻机。

所以,我们需要对我们自己的光刻机有更多的认识,同时也要有更多的理解,因为即便是技术到位了,量产也需要时间,后续还有产能爬坡阶段。

还是那句话,对我们自己的光刻机要正视的看待,对此大家怎么看呢?欢迎评论区评论、点赞和转发。

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2022年05月21日 20:58
来自电脑网页版
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