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国星光电子公司国星半导体荣获广东省技术发明一等奖国星光电子公司国星半导体荣获广东省技术发明一等奖时间:2020-04-03时间:2020-04-03来源:国星光电来源:国星光电全省科技创新大会上,国星光电再传喜讯:公司全资子公司国星半导体凭借“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”项目获得2019年度广东省技术发明一等奖。全省科技创新大会上,国星光电再传喜讯:公司全资子公司国星半导体凭借“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”项目获得2019年度广东省技术发明一等奖。据悉,获奖项目“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”极大地提升了半导体材料的晶体质量和内量子效率,同时在芯片上突破了传统方法对器件影响较大,且不能适应柔性、轻质、高功率应用场合的问题,开发了一种界面保护机制的衬底剥离技术和键合技术,提高了GaN基化合物半导体器件的良品率,并进行产业化应用。为广东省在III-V族化合物半导体材料和器件领域奠定了优势地位,项目的整体成果已经达到了国际领先水平。据悉,获奖项目“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”极大地提升了半导体材料的晶体质量和内量子效率,同时在芯片上突破了传统方法对器件影响较大,且不能适应柔性、轻质、高功率应用场合的问题,开发了一种界面保护机制的衬底剥离技术和键合技术,提高了GaN基化合物半导体器件的良品率,并进行产业化应用。为广东省在III-V族化合物半导体材料和器件领域奠定了优势地位,项目的整体成果已经达到了国际领先水平。作为公司在外延芯片领域的重要战略布局,国星半导体围绕“技术高精尖化、市场国际化、生产规模化”三化战略部署,坚守“差异化发展战略”的初心,大力发展差异化、特色化、创新化的GaN芯片产品,拓展LED新蓝海,已形成蓝绿显屏芯片系列、家电数码芯片系列、高光效背光芯片系列、车灯用大功率倒装芯片系列、紫光芯片系列、Mini LED系列等六大芯片系列,并积极布局Micro LED、深紫外外延芯片、Si基GaN器件等全新的前瞻性技术领域。作为公司在外延芯片领域的重要战略布局,国星半导体围绕“技术高精尖化、市场国际化、生产规模化”三化战略部署,坚守“差异化发展战略”的初心,大力发展差异化、特色化、创新化的GaN芯片产品,拓展LED新蓝海,已形成蓝绿显屏芯片系列、家电数码芯片系列、高光效背光芯片系列、车灯用大功率倒装芯片系列、紫光芯片系列、Mini LED系列等六大芯片系列,并积极布局Micro LED、深紫外外延芯片、Si基GaN器件等全新的前瞻性技术领域。经过多年发展,在广晟公司和国星光电的支持和领导下,国星半导体已成为全国知名品牌示范区骨干企业,同时企业通过了高新技术企业、广东省工程技术研发中心、省级企业技术中心、佛山市细分行业龙头企业、佛山市“专精特新”企业等荣誉认定,为广东省LED产业的高质量发展贡献力量。经过多年发展,在广晟公司和国星光电的支持和领导下,国星半导体已成为全国知名品牌示范区骨干企业,同时企业通过了高新技术企业、广东省工程技术研发中心、省级企业技术中心、佛山市细分行业龙头企业、佛山市“专精特新”企业等荣誉认定,为广东省LED产业的高质量发展贡献力量。

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04月05日 09:40
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